セラミック基板

セラミッス基板の歴史は古く1930年代から製作されており、80年の歴史の中でいろいろな膜付の方法や膜付金属が開発されて今日に至っています。

その中の膜付方法で弊社が開発してきたセラミックス基板が、薄膜技術とメッキ技術を融合させた基板で弱電から強電まで幅広くカバー出来るセラミックス基板です。

基本膜付はCrNi＋Cu＋Ni＋Auの構成となります。

セラミック素材の特性である放熱性・熱伝導率・誘電率等を十分に引き出す基板です。

取扱い材料：アルミナ・窒化アルミ・窒化ケイ素・誘電体セラミックス・他

製造法：プリント配線サブトラクティブ法

メタライズ仕様：メッキ法・薄膜法(蒸着・スパッタ)

メタライズ金属(薄膜部)：CrNi・Cr・Ti・TiW・他

メタライズ金属(メッキ部)：Cu・Ni・Au・Ag・Pd・他

*適合素材に無いものも膜付テスト開発から承ります。

基板の使用例

1．HIC基板：両面ファインライン小径スルホール対応基板

2．高周波基板：フィルター・サブマウント・アンテナ・送受信基板

3．光通信用基板：サブマウント・接合用・パッケージ用基板

4．LED用基板：COB基板・フラットパッケージ基板

5．立体チップ基板：3D基板　2～6面可能(要打ち合わせ)